หัวหน้าห้องปฏิบัติการ ISC นำโครงการวิจัยเพอรอฟสไกต์ ทุน FF ปี 2570 เยือนไต้หวัน แลกเปลี่ยนองค์ความรู้สู่การใช้งานจริง

รศ. ดร.นพพร รุจิสัมพันธ์ หัวหน้าห้องปฏิบัติการพื้นผิวและรอยต่อ (Interface and Surface Characterization: ISC) และหัวหน้า “โครงการพัฒนาเทคโนโลยีวัสดุกึ่งตัวนำเพอรอฟสไกต์และการเรียนรู้พื้นฐานเพื่อยกระดับศักยภาพการวิจัยและอุปกรณ์สมัยใหม่” ภายใต้ทุนวิจัย FF ประจำปี 2570 เริ่มขับเคลื่อนการดำเนินงานของโครงการด้วยการเยี่ยมชมและขอคำปรึกษาจากหน่วยงานวิจัยและภาคอุตสาหกรรมชั้นนำในไต้หวัน

การเดินทางครั้งนี้มุ่งแลกเปลี่ยนองค์ความรู้ด้านเซลล์แสงอาทิตย์เพอรอฟสไกต์และสารกึ่งตัวนำขั้นสูง เพื่อเตรียมความพร้อมด้านกำลังคนและวางแนวทางพัฒนางานวิจัยสู่การใช้งานจริง โดยครอบคลุม 4 หน่วยงาน ได้แก่

• Syskey Technology Co., Ltd.: แลกเปลี่ยนความรู้ด้านการเคลือบฟิล์มบางด้วยเทคนิค Atomic Layer Deposition (ALD) ระบบสุญญากาศ และกระบวนการผลิตอัตโนมัติ เพื่อเป็นแนวทางพัฒนากระบวนการผลิตต้นแบบ
• Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI): ศึกษาการบริหารจัดการห้องปฏิบัติการสะอาด การใช้เครื่องมือวิจัยร่วมกัน และการพัฒนาบุคลากรด้านสารกึ่งตัวนำ
• Industrial Technology Research Institute (ITRI): แลกเปลี่ยนแนวทางพัฒนาอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลัง (Power Devices) และซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ระดับห้องปฏิบัติการ พร้อมเชื่อมโยงงานวิจัยวัสดุขั้นสูงกับภาคอุตสาหกรรม
• Ming Chi University of Technology (MCUT): หารือความร่วมมือวิจัยเซลล์แสงอาทิตย์เพอรอฟสไกต์ด้วยการระเหยในระบบสุญญากาศ การขยายสเกลการผลิต และโอกาสแลกเปลี่ยนนักวิจัยและนักศึกษา

องค์ความรู้จากการเดินทางครั้งนี้จะเป็นพื้นฐานในการเตรียมกำลังคนและต่อยอดงานวิจัยของโครงการสู่การใช้งานจริงต่อไป