แนวทางการดำเนินงานวิจัยของห้องปฏิบัติการพื้นผิวและรอยต่อ (Interface and Surface Characterization Laboratory – ISC)

ห้องปฏิบัติการ ISC ให้ความสำคัญกับการบูรณาการหัวข้องานวิจัยในเซมิคอนดักเตอร์เทคโนโลยี รวมถึงการพัฒนาเซลล์แสงอาทิตย์เพอรอฟสไกท์ โดยให้ความสำคัญกับการสร้างองค์ความรู้พื้นฐานเพื่อนำไปสู่การออกแบบและสร้างอุปกรณ์ไมโคร-นาโน-อิเล็กทรอนิกส์ต้นแบบที่มีประสิทธิภาพสูง ผ่านการควบคุมและปรับแต่งพื้นผิว (surface/interface engineering) ร่วมกับเทคโนโลยีการตกสะสมวัสดุระดับอะตอม (Atomic Layer Deposition: ALD) การเตรียมฟิล์มออกไซด์ด้วยลำอิเล็กตรอน (Electron-Beam Deposition) การระเหยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิต่ำ และการขึ้นรูปฟิล์มบางแบบสปัทเตอริง (Sputtering Thin Films) เป็นต้น

ทีมวิจัย ISC ให้ความสำคัญกับการพัฒนากำลังคน..ให้มีความเชี่ยวชาญในด้านกระบวนการ front-end ของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งครอบคลุมทักษะการเตรียมพื้นผิว การเติบโตของฟิล์มบาง การจัดการกระบวนการสุญญากาศ และการวิเคราะห์เชิงลึกของรอยต่อวัสดุ (interface analysis) เพื่อยกระดับทักษะบุคลากรที่สามารถเชื่อมโยงองค์ความรู้ระหว่างวัสดุศาสตร์-การวัดวิเคราะห์-และการผลิตไมโคร-นาโนอิเล็กทรอนิกส์ในอุตสาหรกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งสอดคล้องกับ นโยบายการพัฒนากำลังคนทักษะสูงของประเทศในสาขา “อิเล็กทรอนิกส์อัจฉริยะและหุ่นยนต์ (Smart Electronics & Robotics)” และเป็นหนึ่งในอุตสาหกรรมเป้าหมาย (S-Curve) ตามยุทธศาสตร์ชาติ