+66 (2) 470 8803 nopporn.ruj@kmutt.ac.th

เกี่ยวกับเรา

ห้องปฎิบัติการวิจัย “พื้นผิวและรอยต่อ”
(Laboratory for Interface and Surface Characterization: ISC)

“หากสนใจเป็นส่วนหนึ่งในทีมพร้อมทุนการศึกษา สมัครเข้าศึกษาได้ที่หลักสูตรวิทยาศาสตร์นาโนและเทคโนโลยีนาโน คณะวิทยาศาสตร์ มจธ.”

https://iadmission.kmutt.ac.th/

แนวทางการดำเนินงานวิจัยของห้องปฏิบัติการพื้นผิวและรอยต่อ (Interface and Surface Characterization Laboratory – ISC)

ห้องปฏิบัติการ ISC ให้ความสำคัญกับการบูรณาการหัวข้องานวิจัยในเซมิคอนดักเตอร์เทคโนโลยี รวมถึงการพัฒนาเซลล์แสงอาทิตย์เพอรอฟสไกท์ โดยให้ความสำคัญกับการสร้างองค์ความรู้พื้นฐานเพื่อนำไปสู่การออกแบบและสร้างอุปกรณ์ไมโคร-นาโน-อิเล็กทรอนิกส์ต้นแบบที่มีประสิทธิภาพสูง ผ่านการควบคุมและปรับแต่งพื้นผิว (surface/interface engineering) ร่วมกับเทคโนโลยีการตกสะสมวัสดุระดับอะตอม (Atomic Layer Deposition: ALD) การเตรียมฟิล์มออกไซด์ด้วยลำอิเล็กตรอน (Electron-Beam Deposition) การระเหยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่อุณหภูมิต่ำ และการขึ้นรูปฟิล์มบางแบบสปัทเตอริง (Sputtering Thin Films) เป็นต้น

ทีมวิจัย ISC ให้ความสำคัญกับการพัฒนากำลังคน..ให้มีความเชี่ยวชาญในด้านกระบวนการ front-end ของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งครอบคลุมทักษะการเตรียมพื้นผิว การเติบโตของฟิล์มบาง การจัดการกระบวนการสุญญากาศ และการวิเคราะห์เชิงลึกของรอยต่อวัสดุ (interface analysis) เพื่อยกระดับทักษะบุคลากรที่สามารถเชื่อมโยงองค์ความรู้ระหว่างวัสดุศาสตร์-การวัดวิเคราะห์-และการผลิตไมโคร-นาโนอิเล็กทรอนิกส์ในอุตสาหรกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งสอดคล้องกับ นโยบายการพัฒนากำลังคนทักษะสูงของประเทศในสาขา “อิเล็กทรอนิกส์อัจฉริยะและหุ่นยนต์ (Smart Electronics & Robotics)” และเป็นหนึ่งในอุตสาหกรรมเป้าหมาย (S-Curve) ตามยุทธศาสตร์ชาติ 

📢 ขอเชิญสมัครทุนวิจัยหลังปริญญาเอก (Postdoctoral Fellowship)
ณ ห้องปฏิบัติการพื้นผิวและรอยต่อ (Interface & Surface Characterization Laboratory: ISC)
มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี (มจธ.)

ห้องปฏิบัติการ ISC เปิดรับสมัครนักวิจัยหลังปริญญาเอก เพื่อร่วมเป็นส่วนหนึ่งของทีมวิจัยด้านเทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์เพอรอฟสไกท์ โดยมุ่งเน้นการพัฒนา เสถียรภาพของอุปกรณ์ (device stability) ผ่านเทคนิคขั้นสูง เช่น

  • Atomic Layer Deposition (ALD)
  • การระเหยด้วยระบบสุญญากาศ (Vacuum-based deposition)

🔬 ระยะเวลาทุน: 1–2 ปี

📅 กำหนดปิดรับสมัคร: 5 มิถุนายน 2569

ผู้ที่สนใจและต้องการร่วมขับเคลื่อนงานวิจัยระดับแนวหน้าในด้านวัสดุและอุปกรณ์กึ่งตัวนำ สามารถสมัครเข้าร่วมทีมวิจัยของเราได้

March 19, 2026
March 19, 2026
การติดตั้งระบบเซมิคอนดักเตอร์แบบสุญญากาศและการฝึกอบรมเฉพาะทาง

ในช่วงวันที่ 24–26 มีนาคม พ.ศ. 2569 วิศวกรผู้เชี่ยวชาญจากประเทศไต้หวันได้เดินทางมายังห้องปฏิบัติการ ISC เพื่อดำเนินการติดตั้งระบบ multi-heating sources...

March 19, 2026
March 19, 2026
ขอรับคำปรึกษาในงานวิจัยขั้นสูง

การวิเคราะห์พื้นผิววัสดุเพอรอสไกท์ในช่วงวันที่ 24–25 กุมภาพันธ์ พ.ศ. 2569 ผู้ช่วยศาสตราจารย์ ดร.นพพร รุจิสัมพันธ์ หัวหน้าห้องปฏิบัติการ Interface...

January 9, 2026
January 9, 2026
NRCT Quality Achievement Award

งาน “วันนักประดิษฐ์” ประจำปี 2569 จัดขึ้นระหว่างวันที่ 5–9 มกราคม 2569 ถือเป็นเวทีเชิงยุทธศาสตร์สำคัญในการเชื่อมโยงองค์ความรู้ งานวิจัย...